MG10P12P2
κατασκευαστής:
Τεχνολογία Yangjie
Περιγραφή:
Τρανζίστορες - IGBT - Μονούλες P2
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
Ειδικές συσκευές IGBT
Μονούλες IGBT
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):
10 Α
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Στήριξη πλαισίου
Πακέτο:
Χύδην
Σειρά:
-
Πακέτο / Κουτί:
Μονάδα
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 10A
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):
1200 V
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
-
Δρ.:
Τεχνολογία Yangjie
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):
1 mA
Τύπος IGBT:
-
Δύναμη - Max:
105 W
Εισαγωγή:
τριφασικός διορθωτής γεφυρών
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:
1 nF @ 25 V
Διαμόρφωση:
Τριφασικός αναστροφέας με το φρένο
Θερμοστήρας NTC:
Ναι.
Εισαγωγή
Τριφασικός μετατροπέας IGBT με φρένο 1200 V 10 A 105 W
Συγγενικά προϊόντα
MG50P12E2A
Transistors - IGBTs - Modules E2
MG200HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG25P12E1A
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG75U12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG150HF12LEC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG150HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG100HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG25P12P3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG100UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MG50P12E2A |
Transistors - IGBTs - Modules E2
|
|
|
|
MG200HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG25P12E1A |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
|
|
MG75U12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG150HF12LEC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG150HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG100HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG25P12P3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG100UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: