MG12200D-BN2MM
κατασκευαστής:
Λιτλφουζ Ινκ.
Περιγραφή:
Δοκιμαστική μονάδα IGBT
Κατηγορία:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Τρανζίστορες
Ειδικές συσκευές IGBT
Μονούλες IGBT
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):
290 Α
Κατάσταση του προϊόντος:
Παρωχημένο
Τύπος στερέωσης:
Στήριξη πλαισίου
Πακέτο:
Χύδην
Σειρά:
-
Πακέτο / Κουτί:
Μονάδα
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 200A (τύπος)
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):
1200 V
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
Δ3
Δρ.:
Λιτλφουζ Ινκ.
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):
1 mA
Τύπος IGBT:
Σταματήστε το πεδίο τάφρου
Δύναμη - Max:
1050 W
Εισαγωγή:
Τύπος
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Διαμόρφωση:
Μισή γέφυρα
Θερμοστήρας NTC:
- Όχι.
Εισαγωγή
Μονάδα IGBT Τρύπα πεδίο Stop μισή γέφυρα 1200 V 290 A 1050 W Σασί Mount D3
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: